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DDR4退場，國產CPU面臨小考

DDR4 漲瘋了。自 5 月初開始，DDR4 持續(xù)漲價。熱門料號如 DDR4 16Gb 3200MHz 價格由 5 月 6 日當周的 2.4 美元上漲至本周的 6.4 美元，漲幅超過 160%。甚至，相同內存條件下，DDR4 的價格比 DDR5 更貴，形成了少見的「價格倒掛」現(xiàn)象。業(yè)內人士評價：「從來沒見過，即將停產的 DDR 內存芯片在停產時，價格飆得如此之高。」作為與 CPU 直接交互的存儲介質，DDR（雙倍數(shù)據速率隨機存儲器）的技術規(guī)格直接決定了 CPU 算力的釋放上限
關鍵字： DDR4 DDR5

SK 海力士據報道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價格上調 20%，因 Q3 需求保持強勁

隨著內存制造商逐步淘汰 DDR4，預計出貨將在 2026 年初結束，合同價格持續(xù)上漲。據中國的華爾街見聞報道，SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內存的合同價格上調約 20%，標志著新一輪價格上漲。這種趨勢與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應，該機構指出，三大主要 DRAM 供應商正在將產能重新分配給高端產品，并逐步淘汰 PC、服務器級 DDR4 和移動 LPDDR4X。因此，據 TrendForce 預測，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
關鍵字： DDR4 DRAM 存儲

主要內存制造商的 DDR4 退出時間表逐漸明朗：三星、SK 海力士和美光計劃

隨著主要內存制造商將產能轉向 DDR5 和 HBM，他們的 DDR4 淘汰時間表逐漸清晰。根據商業(yè)時報的報道，三星、SK 海力士和美光計劃在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出貨。TrendForce 的最新調查也顯示，三大 DRAM 供應商正在將產能轉向高端產品，并已開始宣布 PC 和服務器級 DDR4 以及移動 LPDDR4X 的停產計劃。因此，預計 2025 年第三季度的傳統(tǒng) DRAM 合同價格將上漲 10%至 15%。包括 HBM 在內，整體 DRAM 價格預計將上漲 15%至 2
關鍵字：存儲 DDR4 HBM

內存現(xiàn)貨價格更新：16Gb DDR4 消費者內存價格上升，而 PC 內存失去動力

根據 TrendForce 最新的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關于 DRAM，16Gb DDR4 消費者內存芯片的現(xiàn)貨價格持續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內存芯片則出現(xiàn)輕微回調。至于 NAND 閃存，供應商逐步釋放產能資源，加上中國國家補貼的減弱效應，導致現(xiàn)貨市場低迷。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：盡管過去一周現(xiàn)貨價格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費級 DRAM 芯片的現(xiàn)貨價格繼續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等
關鍵字：內存 DDR4 DRAM

DDR4漲勢Q4觸頂、NAND持平

TrendForce最新釋出的存儲器市場觀察指出，2025年第二季以來快速上漲的DDR4價格漲勢，恐將在第四季觸頂回落; 而NAND市場雖受惠AI需求帶動，但因供需未形成緊張態(tài)勢，價格預期多呈持平。TrendForce表示，DDR4近期的強勁漲勢，主要來自供應商削減產出與市場搶貨潮，但這波動能可能難以延續(xù)至年底。根據通路查核，隨著價格進入高檔區(qū)間，供應商正逐步釋出庫存，預期第四季整體供應將逐步改善。DDR5方面，目前價格趨勢穩(wěn)定，2025年第二、三季價格季增幅度預估介于3%至8%之間。不過，部分二線OE
關鍵字： DDR4 NAND

內存現(xiàn)貨價格更新：DDR4 模塊價格超過 DDR5；關稅擔憂可能引發(fā)恐慌性購買

根據 TrendForce 最新的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關于 DRAM，DDR4 模塊的價格已經超過了 DDR5 模塊的價格。展望未來，短期內一個關鍵的關注點是新的美國關稅是否會被實施——這可能會引發(fā)又一波恐慌性購買。至于 NAND 閃存，由于國家補貼驅動的早期需求拉動，618 購物節(jié)對 NAND 閃存現(xiàn)貨價格和交易的影響弱于預期。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：現(xiàn)貨市場價格顯著上漲。此外，DDR4 模塊價格已超過 DDR5 模塊價格，從而本周需求略有放緩。然而，DDR4 產品的供應緊張程度遠比 DDR5
關鍵字：存儲 DDR4 DDR5 市場分析

歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價格飆升，據報道使 DDR5 翻倍，推動南亞科技的庫存暴利

上周，臺灣地區(qū)頂級 DRAM 制造商南亞科技據報道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報價，因為價格飆升。現(xiàn)在，隨著 DDR4 16Gb 芯片的價格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫存中獲利，根據經濟日報的最新數(shù)據，引用了 DRAMeXchange 的數(shù)據，DRAMeXchange 是一個趨勢力旗下的 DRAM 定價平臺。隨著三星、美光和中國芯片制造商縮減 DDR4 生產，南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應商。據報告稱，南亞科技第一季度庫存飆升至創(chuàng)紀錄的 37.59 億新
關鍵字： DDR4 DRAM 存儲

DDR4瘋狂漲價，DRAM廠商爆賺

據臺媒《經濟日報》報道，由于DDR4供應減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點，更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲，甚至比更高規(guī)格的DDR5報價更高，呈現(xiàn)“價格倒掛”，業(yè)界直言：“至少十年沒看過現(xiàn)貨價單日漲幅這么大。”根據DRAM專業(yè)報價網站DRAMeXchange最新報價顯示，6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
關鍵字： DDR4 DRAM 三星美光南亞科技華邦電子 HBM

價格再看漲！美光親證實DDR4將停產大缺貨

全球三大DRAM原廠確定從DDR4規(guī)格，轉向先進制程產品。繼韓系兩大內存業(yè)者先后釋出DDR4停產時程，美光（Micron）確定已向客戶發(fā)出信件通知DDR4將停產（EOL，End of Life），預計未來2~3季陸續(xù)停止出貨。美光執(zhí)行副總裁暨業(yè)務執(zhí)行長Sumit Sadana接受DIGITIMES專訪表示，DDR4將繼續(xù)「嚴重缺貨」，未來美光DDR4/LPDDR4 DRAM，僅會策略性針對三大領域長期客戶持續(xù)供應，而DDR5/LPDDR5產品正進入市場價格甜蜜點。美光同步釋出未來市場策略走向，會針對獲利
關鍵字：美光 DDR4 停產大缺貨

芯片巨頭，「扔掉」這些業(yè)務

上半年，時至過半。回顧這半年的半導體市場，似是相對平靜，但是仔細回想也有不少芯片巨頭在該背景下做了諸多調整。它們接連「動刀」，果斷退出部分產品領域。在這個過程中會對半導體產業(yè)造成哪些影響？又有哪些公司同步受益？芯片巨頭，放棄這些芯片存儲三巨頭，計劃停產?DDR3?和DDR4關于三星、SK 海力士、美光等主要 DRAM 制造商計劃停產 DDR3 和 DDR4 內存的消息，想必業(yè)內人士早有耳聞。今年 2 月，這則消息正式傳來，這一決策是由于對?HBM（高帶寬內存）和 DDR5 等
關鍵字： DDR3 DDR4 NAND HDD

內存現(xiàn)貨價格更新：DDR4供應緊張大幅漲價 DDR5 逐步啟動

根據 TrendForce 集邦咨詢最新的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關于 DRAM，現(xiàn)貨市場顯示，由于預期未來供應趨緊，DDR4 產品的價格相比 DDR5 產品的價格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存，買家放慢了詢價和交易的速度。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：與合約市場的情況類似，現(xiàn)貨市場顯示，由于預期未來供應趨緊，DDR4 產品的價格與 DDR5 產品的價格相比上漲幅度更大。DDR5 產品的價格也繼續(xù)逐步上漲，因為模塊公司急于增加庫存。TrendForce 集邦咨詢相信，整體而言，現(xiàn)貨價格在整個 2Q25
關鍵字：內存 DDR4 DDR5

三星因關稅前囤積而提高DRAM價格，DDR4上漲20%

在特朗普加征關稅之前囤積數(shù)據推動的 DRAM 需求激增似乎是真實的。據韓國 Etnews 報道，三星一年多來首次提高了 DRAM 價格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報告表明，三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價條款，已將 DDR4 價格提高了約 20%。與此同時，該報告補充說，DDR5 價格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤或將得到提振值得注意的是，Etnews 表示，由于 DRAM 價格是以數(shù)月為基礎進行談判的，因此最近的上漲預計將在一段時間內支持盈利能力，從而為三星第二
關鍵字：三星 DRAM DDR4

DDR4加速退場，DDR5成為主流

三星已向其供應鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產品本月即將停產，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產服務器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產能削減至其生產份額的20%。這意味著內存制造商正加速產品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
關鍵字： DDR4 DDR5 三星 SK海力士內存 HBM

三大內存廠持續(xù)減產DDR4

三大原廠紛紛縮減舊制程產能，除三星電子已傳宣布4月終止1y nm及1z nm制程的DDR4生產，美光亦通知客戶停產服務器用舊制程DDR4模組，SK海力士據傳也將DDR4產出比重降至20%。法人認為，市場景氣低迷，上游存儲器廠加速產品迭代，降低單位成本以提升獲利，同時將資源轉向高帶寬記憶體（HBM）及DDR5等高階產品。短期內內存價格受到關稅備貨與供給控制支撐，但整體環(huán)境不確定性高，未來基本面仍存隱憂。三星已通知供應鏈，1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4內存將于2025年4月停止生產（EOL）
關鍵字： DDR4 三星 SK海力士美光

Teledyne e2v 雙倍容量太空級 8GB DDR4 內存芯片，面向高可靠性太空應用

超緊湊、彈性的存儲器芯片提高了面向通信、地球觀測、科學和邊緣計算的衛(wèi)星的高級任務的SWaP。8GB DDR4的合格工程樣片 (EM) 現(xiàn)已發(fā)布，飛行正片 (FM) 正在制造中，計劃于2025年初推出。超快、高密度8GB DDR4存儲器提供與較小的4GB DDR4選項相同的外形尺寸和引腳兼容性-是下一代設計的理想選擇。新的高速8GB DDR4存儲器支持2400MT/s的傳輸速率。它對高達60 MeV.cm2/mg 的單粒子閂鎖 (SEL) 具有免疫力。此外，該器件提供100 krad總電離劑量 (TID)，
關鍵字：宇航級 DDR4 存儲器

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ddr4介紹

DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內存美國JEDEC 的固態(tài)技術協(xié)會于2000 年6 月公布了雙數(shù)據速率同步動態(tài)存儲器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進行數(shù)據傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細 ]

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8Gb 32位 DDR4 SDRAM
UD408G5S1AF 256Mx32 8Gb 32位 DDR4 SDRAM
256Mx32 8Gb DDR4 SDRAM
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